En Sıcak Konular

Ricciardone: İlişkiler ticaret alanında da güçlendi

7 Mayıs 2013 12:51 tsi
ABD'nin Ankara Büyükelçisi Francis Ricciardone, Türkiye ile ABD arasında her zaman güçlü olan ilişkinin ticaret alanında da güçlendiğini söyledi.

Büyükelçi Ricciardone, TÜYAP Fuar ve Kongre Merkezi'nde düzenlenen IDEF'13 11. Uluslararası Savunma Sanayi Fuarı'na katıldı.

Buradaki ABD stantlarının açılışını yapan Ricciardone, fuardaki Amerika stantlarının bir önceki fuara göre yüzde 25 artış gösterdiğini söyledi.

Bunun Türkiye ile ABD arasındaki ticari ilişkilerin yansıması olduğunu belirten Ricciardone, iki ülke arasında her zaman güçlü olan ilişkinin ticaret alanında da güçlendiğini dile getirdi.

Büyükelçi Ricciardone, açılış öncesi ABD standlarını gezerek şirket yetkililerinden faaliyetleri hakkında bilgi aldı.

aa


Bu haber 624 defa okundu.


Yorumlar

 + Yorum Ekle 
    kapat

    Değerli okuyucumuz,
    Yazdığınız yorumlar editör denetiminden sonra onaylanır ve sitede yayınlanır.
    Yorum yazarken aşağıda maddeler halinde belirtilmiş hususları okumuş, anlamış, kabul etmiş sayılırsınız.
    · Türkiye Cumhuriyeti kanunlarında açıkça suç olarak belirtilmiş konular için suçu ya da suçluyu övücü ifadeler kullanılamayağını,
    · Kişi ya da kurumlar için eleştiri sınırları ötesinde küçük düşürücü ifadeler kullanılamayacağını,
    · Kişi ya da kurumlara karşı tehdit, saldırı ya da tahkir içerikli ifadeler kullanılamayacağını,
    · Kişi veya kurumların telif haklarına konu olan fikir ve/veya sanat eserlerine ait hiçbir içerik yayınlanamayacağını,
    · Kişi veya kurumların ticari sırlarının ifşaı edilemeyeceğini,
    · Genel ahlaka aykırı söz, ifade ya da yakıştırmaların yapılamayacağını,
    · Yasal bir takip durumda, yorum tarih ve saati ile yorumu yazdığım cihaza ait IP numarasının adli makamlara iletileceğini,
    · Yorumumdan kaynaklanan her türlü hukuki sorumluluğun tarafıma ait olduğunu,
    Bu formu gönderdiğimde kabul ediyorum.




    En Çok Okunan Haberler


    Haber Sistemi altyapısı ile çalışmaktadır.
    3,166 µs