En Sıcak Konular

ABD Esed sonrasına hazırlanıyor

15 Ekim 2012 15:08 tsi
ABD Dışişleri Bakanlığı Ortadoğu Masası Sözcüsü Ernst, ABD olarak Suriye'de Esed sonrası dönem için hazırlık yaptıklarını söyledi.

ABD Dışişleri Bakanlığı Ortadoğu Masası Sözcüsü Daniel Ernst, AA muhabirine yaptığı açıklamada, ABD olarak Suriye'de Esed sonrası dönem için hazırlık yaptıklarını söyleyerek, Washington'un, Esed'in devrilmesinin ardından yerine geçecek kişinin seçimine müdahil olmayacağını, yeni Suriye'ye siyaset ve güvenlik alanında destek vereceğini ileri sürdü.

Öte yandan Suriyelileri, ülkede yaşanabilecek mezhep savaşları konusunda uyaran Ernst, Suriye'de El-Kaide'nin varlığının Esed'in menfaatine olacağını savundu.

Ernst, Suriye'de aşırı grupların etkin olmaması için muhalefete ''uyanık olma'' çağrısında da bulundu. (AA)



Bu haber 679 defa okundu.


Yorumlar

 + Yorum Ekle 
    kapat

    Değerli okuyucumuz,
    Yazdığınız yorumlar editör denetiminden sonra onaylanır ve sitede yayınlanır.
    Yorum yazarken aşağıda maddeler halinde belirtilmiş hususları okumuş, anlamış, kabul etmiş sayılırsınız.
    · Türkiye Cumhuriyeti kanunlarında açıkça suç olarak belirtilmiş konular için suçu ya da suçluyu övücü ifadeler kullanılamayağını,
    · Kişi ya da kurumlar için eleştiri sınırları ötesinde küçük düşürücü ifadeler kullanılamayacağını,
    · Kişi ya da kurumlara karşı tehdit, saldırı ya da tahkir içerikli ifadeler kullanılamayacağını,
    · Kişi veya kurumların telif haklarına konu olan fikir ve/veya sanat eserlerine ait hiçbir içerik yayınlanamayacağını,
    · Kişi veya kurumların ticari sırlarının ifşaı edilemeyeceğini,
    · Genel ahlaka aykırı söz, ifade ya da yakıştırmaların yapılamayacağını,
    · Yasal bir takip durumda, yorum tarih ve saati ile yorumu yazdığım cihaza ait IP numarasının adli makamlara iletileceğini,
    · Yorumumdan kaynaklanan her türlü hukuki sorumluluğun tarafıma ait olduğunu,
    Bu formu gönderdiğimde kabul ediyorum.




    En Çok Okunan Haberler


    Haber Sistemi altyapısı ile çalışmaktadır.
    3,711 µs