kritik ABD teması | " /> kritik ABD teması | "/>

En Sıcak Konular

MİT Müsteşarı’nın kritik ABD teması

21 Eylül 2010 10:14 tsi
MİT Müsteşarı’nın 
kritik ABD teması
MİT Müsteşarı Hakan Fidan’ın, terörün dış desteğini önlemek amacıyla ABD'de görüşmeler yaptığı iddia edildi.

Başbakanlık Resmi Konutu’nda yapılan olağanüstü güvenlik zirvesine yardımcısı Afet Güneş’i gönderen MİT Müsteşarı Hakan Fidan’ın, terörün dış desteğini önlemek amacıyla ABD’de görüşmeler yaptığı ortaya çıktı.

Cuma gününe kadar ABD’de kalacak olan Fidan, başta CIA ve FBI olmak üzere terör örgütünün dış desteği ve maddi kaynaklarının kurutulması konusunda ilgili birimlerle görüşecek. Fidan, Kuzey Irak’ta ABD ve Kürt gruplarla işbirliğinin artırılması konusunda da temaslarda bulunacak. Önümüzdeki günlerde ise konuyla ilgili olarak bazı AB ülkelerini ziyaret edecek.



Bu haber 751 defa okundu.


Yorumlar

 + Yorum Ekle 
    kapat

    Değerli okuyucumuz,
    Yazdığınız yorumlar editör denetiminden sonra onaylanır ve sitede yayınlanır.
    Yorum yazarken aşağıda maddeler halinde belirtilmiş hususları okumuş, anlamış, kabul etmiş sayılırsınız.
    · Türkiye Cumhuriyeti kanunlarında açıkça suç olarak belirtilmiş konular için suçu ya da suçluyu övücü ifadeler kullanılamayağını,
    · Kişi ya da kurumlar için eleştiri sınırları ötesinde küçük düşürücü ifadeler kullanılamayacağını,
    · Kişi ya da kurumlara karşı tehdit, saldırı ya da tahkir içerikli ifadeler kullanılamayacağını,
    · Kişi veya kurumların telif haklarına konu olan fikir ve/veya sanat eserlerine ait hiçbir içerik yayınlanamayacağını,
    · Kişi veya kurumların ticari sırlarının ifşaı edilemeyeceğini,
    · Genel ahlaka aykırı söz, ifade ya da yakıştırmaların yapılamayacağını,
    · Yasal bir takip durumda, yorum tarih ve saati ile yorumu yazdığım cihaza ait IP numarasının adli makamlara iletileceğini,
    · Yorumumdan kaynaklanan her türlü hukuki sorumluluğun tarafıma ait olduğunu,
    Bu formu gönderdiğimde kabul ediyorum.




    En Çok Okunan Haberler


    Haber Sistemi altyapısı ile çalışmaktadır.
    4,290 µs