En Sıcak Konular

'Devlet Başkanı Salih'in yokluğu siyasi geçişi kolaylaştırabilir'

23 Ocak 2012 22:29 tsi
Beyaz Saray, Yemen Devlet Başkanı Ali Abdullah Salih'in tedavi için ABD'ye gelmesinin Yemen'deki siyasi geçişi kolaylaştırabileceğini bildirdi.



Beyaz Saray sözcüsü Jay Carney, Salih'in tedavi için ABD'ye gelme talebinin onaylandığını ve bu seyahatin sadece sağlık nedenleriyle olduğunu belirtti.

Carney, Salih'in tedavi boyunca Yemen'de bulunmadığı dönemin, iktidarını sonlandıracak geçişi kolaylaştırmak için son derece önemli bir süreç olduğunun düşünüldüğünü vurguladı.

Washington'ın Salih'in topraklarında kalmasını onaylayarak bu ülkedeki olayların gidişatı etkilemeye çalıştığı iddialarını yalanlayan sözcü, Yemen Devlet Başkanı'nın ABD'de, tedavi boyunca, sınırlı süre kalmasının beklendiğini ifade etti.

Bu haber 630 defa okundu.


Yorumlar

 + Yorum Ekle 
    kapat

    Değerli okuyucumuz,
    Yazdığınız yorumlar editör denetiminden sonra onaylanır ve sitede yayınlanır.
    Yorum yazarken aşağıda maddeler halinde belirtilmiş hususları okumuş, anlamış, kabul etmiş sayılırsınız.
    · Türkiye Cumhuriyeti kanunlarında açıkça suç olarak belirtilmiş konular için suçu ya da suçluyu övücü ifadeler kullanılamayağını,
    · Kişi ya da kurumlar için eleştiri sınırları ötesinde küçük düşürücü ifadeler kullanılamayacağını,
    · Kişi ya da kurumlara karşı tehdit, saldırı ya da tahkir içerikli ifadeler kullanılamayacağını,
    · Kişi veya kurumların telif haklarına konu olan fikir ve/veya sanat eserlerine ait hiçbir içerik yayınlanamayacağını,
    · Kişi veya kurumların ticari sırlarının ifşaı edilemeyeceğini,
    · Genel ahlaka aykırı söz, ifade ya da yakıştırmaların yapılamayacağını,
    · Yasal bir takip durumda, yorum tarih ve saati ile yorumu yazdığım cihaza ait IP numarasının adli makamlara iletileceğini,
    · Yorumumdan kaynaklanan her türlü hukuki sorumluluğun tarafıma ait olduğunu,
    Bu formu gönderdiğimde kabul ediyorum.




    En Çok Okunan Haberler


    Haber Sistemi altyapısı ile çalışmaktadır.
    2,934 µs